Acasa | Trimite referat | Cere referat | Contact

Referat Comutarea tranzistorului bipolar

Comutarea tranzistorului bipolar

Categorie: Referate Fizica

Referat downloadat de: 280 ori.

Cauta referat dupa: comutarea tranzistorului bipolar

Descriere referat:

COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR 1. Scopul lucrarii: se studiaza regimul de comutare al tranzistorului bipolar, se masoara timpii de comutare directa si inversa, precum si influenta diferitelor elemente ale schemei asupra acestora; se studiaza eficienta unor scheme de accelerare a comutarii si de evitare a intrarii in saturatie a tranzistorului. 2. Regimul de comutare al unui tranzistor bipolar consta din trecerea lui din starea de blocare in starea de conductie - in regiunea activa normala sau in saturatie - si invers. In starea de blocare, ambele jonctiuni ale tranzistoarelor sunt polarizate invers; prin tranzistor circula curentii Icbo si Icoo (in conexiunea EC), de obicei, neglijabili pentru tranzistoarele din siliciu, astfel incat tensiunile la bornele tranzistoarelor blocate sunt determinate numai de elementele circuitului exterior acestora. In starea de conductie, tranzistorul are jonctiunea baza-emitor polarizata direct iar jonctiunea colector-baza este fie blocata (in cazul functionarii in regiunea activa normala) fie polarizata direct (in cazul in care tranzistorul functioneaza la saturatie). Functionarea tranzistorului in saturatie, in circuitele de comutatie, prezinta avantaje, precum realizarea unui coeficient bun de utilizare a tensiunii de alimentare, putere disipata mica pe tranzistor, stabilitate a tensiunii de iesire, dar are si dezavantajul unui timp de comutare inversa mai mare, datorita sarcinilor stocate suplimentar in baza. Conditia de functionare in saturatie a unui tranzistor bipolar este ca si jonctiunea colector-baza a tranzistorului sa fie polarizata direct, ceea ce, pentru circuitul din fig. 19.1 devine: [pic] (19.1) unde IBS este curentul de baza la saturatie incipienta iar IB1 este curentul direct prin baza tranzistorului. In saturatie, tranzistorul este caracterizat prin tensiunea baza-emitor, VBE, de circa 0,7 - 0,9 V (in functie de curentul de emitor) si prin tensiunea de colector de saturatie, Vcesat, de circa 0,1 - 0,3 V (in functie de curentul de colector), neglijabila. Tensiunile pe jonctiuni fiind foarte mici sau, oricum, cunoscute, pentru un tranzistor bipolar saturat, curentii prin el sunt determinati de elementele circuitului exterior. Se adauga si relatia: IE = IB + IC. In regiunea de saturatie, tranzistorul este caracterizat si prin gradul de saturatie: [pic] (19.2) 3. Intarzierea, la comutarea dintr-o stare in alta, a tranzistorului, este determinata atat de fenomenele de acumulare a sarcinii de purtatori in baza tranzistorului, caracterizate prin constantele de timp (n (constanta de timp de viata a electronilor minoritari in exces in baza) si (s (constanta de timp de stocare) cat si de capacitatile de barier

Alte referate din materia: Fizica

Nr.	Nume referat	Hits
1	IUQWGBzrRq	174
2	pvbnpr@rerugs.com	225
3	ibrnaf@cjclea.com	417
4	JWyYRYVAflMnueUQxC	439
5	tjlnezmj@gaeeithe.com	487
6	scusvd@lmhbta.com	536
7	urwsbr@bjznvv.com	624
8	Aparatul de fotografiat	846
9	Electroliza	1731
10	Electrotehnica	1896
11	Elemente galvanice	836
12	Elicoptere si autogiruri	812
13	Energia campului magnetic	1149
14	Energia electrica	1564
15	Energia eoliana	1075
16	Energia nucleara	1040
17	Energia	2865
18	Enrico fermi	802
19	Etalonarea scalei unui spectroscop	775
20	Evolutia stiintei de-a lungul timpului	779
21	Executarea bransamentelor aeriene	991
22	Fenomene mecanice	1177
23	Fenomene optice si electrice in natura	1243
24	Fenomene optice	1034
25	Fizica - Acceleratoare de particule	728

Acasa Trimite referat Cere referat Adauga la favorite Seteaza ca homepage Contact libertateailuziei Trailere Filme Filme Noi Jocuri Online Jocuri Barbie Jocuri pentru Copii GameBox.ro Make Money Bucuresti regim hotelier